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2018SiC颗粒增强铝基复合材料锻材 T35096 图书 纸版
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第2部分:体二极管工作引起 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.2 SiC 2026
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残余应力检测方法 ZSA 2020SiC晶片
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022 电流源单点测试法 IAWBS MOSFET阈值电压测试方法 2024 SiC
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IAWBS 2024 SiC 电流源单点测试法 022 MOSFET阈值电压测试方法 按需印装
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第1部分:偏置温度不稳性标准 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.1 SiC 2026
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残余应力检测方法 按需印装 2020SiC晶片 ZSA
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008 残余应力检测方法 IAWBS 2019SiC晶片
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第2部分:体二极管工作引起双 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.2 SiC 2026
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第1部分:偏置温度不稳性标准 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.1 SiC 2026
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