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  • 2018SiC颗粒增强铝基复合材料锻材 T35096 图书 纸版
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  • 纸版 残余应力检测方法 SiC晶片 ZSA 2020 图书 标准
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  • 残余应力检测方法 按需印装 2019SiC晶片 IAWBS 008
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  • 第2部分:体二极管工作引起 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.2 SiC 2026
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  • 残余应力检测方法 ZSA 2020SiC晶片
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  • 022 电流源单点测试法 IAWBS MOSFET阈值电压测试方法 2024 SiC
    ¥23.2折后价 ¥23.2
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  • IAWBS 2024 SiC 电流源单点测试法 022 MOSFET阈值电压测试方法 按需印装
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  • 第1部分:偏置温度不稳性标准 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.1 SiC 2026
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  • 残余应力检测方法 按需印装 2020SiC晶片 ZSA
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  • 008 残余应力检测方法 IAWBS 2019SiC晶片
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  • 164 C砖 SiC 1999 铁水预处理用Al2O3
    ¥10.5折后价 ¥10.5
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  • 35096 锻材 2018SiC颗粒增强铝基复合材料
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  • 2022 SiC复合粉体 抗氧化超高温涂层用ZrB2 2683
    ¥16.8折后价 ¥16.8
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  • 第2部分:体二极管工作引起双 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.2 SiC 2026
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  • 第1部分:偏置温度不稳定性试 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.1 SiC 2026
    ¥26.6折后价 ¥26.6
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  • CASAS 试验方法 DH3TRB SiC 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 动态高温高湿反偏 047 MOSFET 2024
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  • CASAS 试验方法 DRB SiC 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 动态反偏 046 MOSFET 2024
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  • 高压高温高湿反偏试验方法 CASAS SiC 044 MOSFETs 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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  • 35096 锻材 2018SiC颗粒增强铝基复合材料
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  • 2683 2023新标正版 2022抗氧化超高温涂层用ZrB2—SiC复合粉体 现货 2023年4月1日实施 T2683
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  • 高温反偏试验方法 CASAS SiC 043 MOSFET 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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