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  • CASAS 试验方法 DH3TRB SiC 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 动态高温高湿反偏 047 MOSFET 2024
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    兴科图书专营店
  • CASAS 试验方法 DRB SiC 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 动态反偏 046 MOSFET 2024
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  • 功率器件开关动态测试方法 CASAS SiC 033 MOSFET 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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  • 高压高温高湿反偏试验方法 CASAS SiC 044 MOSFETs 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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  • 35096 锻材 2018SiC颗粒增强铝基复合材料
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  • 2683 2023新标正版 2022抗氧化超高温涂层用ZrB2—SiC复合粉体 现货 2023年4月1日实施 T2683
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  • 栅极电荷测试方法 CASAS SiC 037 MOSFET 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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  • 高温栅偏试验方法 CASAS SiC 042 MOSFETs 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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  • 021 MOSFE阈值电压测试方法 CASAS SiC 2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
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  • 高温反偏试验方法 CASAS SiC 043 MOSFET 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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    高温反偏试验方法 CASAS SiC 043 MOSFET 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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  • 功率器件开关动态测试方法 CASAS SiC 033 MOSFET 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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    功率器件开关动态测试方法 CASAS SiC 033 MOSFET 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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  • 第1部分:偏置温度不稳性标准 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.1 SiC 2026
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  • 021 MOSFE阈值电压测试方法 CASAS SiC 2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
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  • 动态栅偏试验方法 CASAS SiC 045 MOSFET 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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  • 第2部分:体二极管工作引起双 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.2 SiC 2026
    ¥24.75折后价 ¥24.75 2元券
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  • 2022 SiC复合粉体 抗氧化超高温涂层用ZrB2 2683
    ¥18.9折后价 ¥18.9
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  • 第1部分:偏置温度不稳性标准 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.1 SiC 2026
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  • 第2部分:体二极管工作引起 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.2 SiC 2026
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  • 按需印装 功率器件开关动态测试方法 MOSFET 2024 033 SiC 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 CASAS
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  • 第1部分:偏置温度不稳定性试 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.1 SiC 2026
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  • CASAS 2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFE阈值电压测试方法 021 SiC 按需印装
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