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SiC 宽禁带半导体电子材料与器件 社 金刚石和Ga2O3宽禁带半导体电子材料与器件科学出版 唐宁Ⅲ族氮化物 沈波
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2022 SiC复合粉体 抗氧化超高温涂层用ZrB2 2683
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2683 2023新标正版 2022抗氧化超高温涂层用ZrB2—SiC复合粉体 现货 2023年4月1日实施 T2683
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2018SiC颗粒增强铝基复合材料锻材 T35096 图书 纸版
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022 电流源单点测试法 IAWBS MOSFET阈值电压测试方法 2024 SiC
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IAWBS 2024 SiC 电流源单点测试法 022 MOSFET阈值电压测试方法 按需印装
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CASAS 试验方法 DH3TRB SiC 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 动态高温高湿反偏 047 MOSFET 2024
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高温反偏试验方法 CASAS SiC 043 MOSFET 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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CASAS 试验方法 DRB SiC 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 动态反偏 046 MOSFET 2024
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动态栅偏试验方法 CASAS SiC 045 MOSFET 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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高温栅偏试验方法 CASAS SiC 042 MOSFETs 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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高压高温高湿反偏试验方法 CASAS SiC 044 MOSFETs 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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35096 锻材 2018SiC颗粒增强铝基复合材料
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第2部分:体二极管工作引起双 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.2 SiC 2026
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第2部分:体二极管工作引起双 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.2 SiC 2026
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残余应力检测方法 ZSA 2020SiC晶片
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残余应力检测方法 按需印装 2020SiC晶片 ZSA
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残余应力检测方法 按需印装 2019SiC晶片 IAWBS 008
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第2部分:体二极管工作引起 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.2 SiC 2026
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