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  • CASAS 试验方法 DRB SiC 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 动态反偏 046 MOSFET 2024
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  • 高压高温高湿反偏试验方法 CASAS SiC 044 MOSFETs 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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  • 动态栅偏试验方法 CASAS SiC 045 MOSFET 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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  • 第2部分:体二极管工作引起双 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.2 SiC 2026
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  • 第1部分:偏置温度不稳定性试 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.1 SiC 2026
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  • 栅极电荷测试方法 CASAS SiC 037 MOSFET 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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  • 021 MOSFE阈值电压测试方法 CASAS SiC 2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
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  • 功率器件开关动态测试方法 CASAS SiC 033 MOSFET 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 2024
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  • 残余应力检测方法 ZSA 2020SiC晶片
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  • IAWBS 2024 SiC 电流源单点测试法 022 MOSFET阈值电压测试方法 按需印装
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  • 第1部分:偏置温度不稳性标准 可靠性试验方法 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体器件 MOSFET 48164.1 SiC 2026
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