半导体级高纯度11N热氧化SIO2硅片 氧化层厚度200 2英寸 2000nm
半导体级高纯度11N热氧化SIO2硅片 氧化层厚度200 2英寸 2000nm
所 在 地:浙江 衢州 累计销量:0
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商品标签:2英寸2000nm
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