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DMN6068SEQ 4.1A 耐压 1个N沟道 电流 场效应管 60V MOSFET
原价
4.06
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4.06
皓芯微二
MOSFET 耐压 40V 场效应管 4.1A 1个P沟道 电流 SQ2389ES T1_BE3
原价
4.6
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4.6
皓芯微二
MOSFET 耐压 40V 场效应管 4.1A 1个P沟道 电流 SQ2389ES T1_GE3
原价
2.2
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2.2
皓芯微二
MOSFET 耐压 40V 场效应管 4.1A 1个P沟道 电流 SQ2389ES T1_GE3
原价
2.39
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2.39
梦韩电子
MOSFET 耐压 40V 场效应管 4.1A 1个P沟道 电流 SQ2389ES T1_BE3
原价
3.37
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3.37
梦韩电子
MOSFET 耐压 40V 场效应管 4.1A 1个P沟道 电流 SQ2389ES T1_BE3
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1.82
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1.82
芯起航三
MOSFET 耐压 40V 场效应管 4.1A 1个P沟道 电流 SQ2389ES T1_GE3
原价
2.12
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2.12
芯起航三
6X6X3MM FDV0530 20% 3R3M=P3 4.1A 3.3UH TOKO一体大电流电感
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深圳市汉源达科技
1个N沟道 800V 电流 MOSFET 耐压 4.1A IRFBE30SPBF 场效应管
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29.65
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29.65
皓芯微二
1个N沟道 200V 电流 MOSFET 耐压 4.1A IRFI620GPBF 场效应管
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6.92
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6.92
梦韩电子
1个N沟道 800V 电流 MOSFET 耐压 4.1A IRFBE30SPBF 场效应管
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30.36
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30.36
梦韩电子
1个N沟道 200V 电流 MOSFET 耐压 4.1A IRFI620GPBF 场效应管
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5.92
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5.92
芯起航三
1个N沟道 800V 电流 MOSFET 耐压 4.1A IRFBE30SPBF 场效应管
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30.68
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30.68
芯起航三
1个N沟道 200V 电流 MOSFET 耐压 4.1A IRFI620GPBF 场效应管
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6.08
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6.08
皓芯微二
场效应管 TPM30V5PS6 电流 30V SOT MOSFET 4.1A 耐压
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1.28
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梦韩电子
场效应管 TPM30V5PS6 电流 30V SOT MOSFET 4.1A 耐压
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芯起航三
SOT 场效应管 耐压 30V MOSFET 4.1A WPM3005 电流
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梦韩电子
4.1A SI2333DS 电流 1个P沟道 MOSFET 12V 耐压 场效应管
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5.41
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5.41
皓芯微二
4.1A SI2333DS 电流 1个P沟道 MOSFET 12V GE3 耐压 场效应管
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6.92
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6.92
皓芯微二
47UH 一体大电流电感 470Y 7.5X7X5.4MM 2.3A ETQP5M470YFM 4.1A
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3
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深圳市汉源达科技
30V 电流 TPM30V5PS6 SOT MOSFET 耐压 4.1A 场效应管
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1.28
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1.28
梦韩电子
30V 电流 TPM30V5PS6 SOT MOSFET 耐压 4.1A 场效应管
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1.28
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梦韩电子
30V 电流 TPM30V5PS6 SOT MOSFET 耐压 4.1A 场效应管
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芯起航三
30V 电流 TPM30V5PS6 SOT MOSFET 耐压 4.1A 场效应管
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芯起航三
BSH207 TSOP 30V 耐压 4.1A 场效应管 电流 MOSFET
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梦韩电子
MOSFET 耐压 30V 场效应管 4.1A 1个P沟道 电流 TSM650P03CX RFG
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皓芯微二
MOSFET 耐压 30V 场效应管 4.1A 1个P沟道 电流 TSM650P03CX RFG
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1.56
梦韩电子
MOSFET 耐压 30V 场效应管 4.1A 1个P沟道 电流 TSM650P03CX RFG
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芯起航三
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