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SI4800BDY 电流 1个N沟道 MOSFET 30V GE3 耐压 场效应管
原价
1.43
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0
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1.43
梦韩电子
MOSFET 耐压 30V 场效应管 1个P沟道 电流 SPP4435WS8RGB
原价
1.69
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1.69
梦韩电子
MOSFET 耐压 30V 场效应管 1个P沟道 电流 IRF7416TRPBF HXY
原价
1.64
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1.64
梦韩电子
SI4431CDY 电流 1个P沟道 MOSFET 30V GE3 耐压 场效应管
原价
2.58
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2.58
芯利来
静 CESD12VCP SOT 峰值浪涌电流:9A@8 20us 12V截止 单向ESD
原价
0.24
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0.24
佳旭芯捷电子
NTPF600N80S3Z 800V 场效应管 电流 耐压 1个N沟道
原价
11.14
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11.14
文扬三
IRF7452QTRPBF 100V 场效应管 电流 耐压 1个N沟道
原价
2.51
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2.51
文扬三
MOSFET 耐压 场效应管 电流 SI4835BDY 30V
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2.89
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2.89
梦韩电子
MOSFET 1个P沟道 电流 SI6423DQ 20V 场效应管 耐压
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4.1
销量
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4.1
芯利来
MOSFET 1个P沟道 电流 SI4435DY 30V 场效应管 耐压
原价
1.64
销量
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1.64
芯利来
MOSFET 1个P沟道 电流 SI4435DY 30V 场效应管 耐压
原价
1.87
销量
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1.87
梦韩电子
MOSFET 1个P沟道 电流 SI6423DQ 20V 场效应管 耐压
原价
4.67
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4.67
梦韩电子
IRF7416TRPBF HXY 30V 场效应管 电流 耐压 1个P沟道
原价
1.44
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1.44
文扬三
SPP4435WS8RGB 30V 场效应管 电流 耐压 1个P沟道
原价
1.54
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1.54
文扬三
场效应管 耐压 30V GE3 1个P沟道 电流 SI4431CDY
原价
2.58
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2.58
文扬三
静 CESD12VD3 SOD 峰值浪涌电流:9A@8 323 20us 12V截止 单向ESD
原价
0.15
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0.15
佳旭芯捷电子
静 CESD12VD3 SOD 峰值浪涌电流:9A@8 323 20us 12V截止 单向ESD
原价
0.15
销量
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0.15
佳旭芯捷电子
静 CESD12VD3 SOD 峰值浪涌电流:9A@8 323 20us 12V截止 单向ESD
原价
0.15
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0.15
佳旭芯捷电子
SI4435DY 电流 1个P沟道 场效应管 30V 耐压
原价
1.64
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文扬三
SI6423DQ 电流 1个P沟道 场效应管 20V 耐压
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4.1
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4.1
文扬三
静电和浪 DFN1006 峰值脉冲电流:9A 双向ESD ESD5451N 5V截止
原价
0.04
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佳旭芯捷电子
1.2uH XEL4020 贴片大电流屏蔽电感 122MEB 122MEC
原价
5.5
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5.2
深圳亿胜兴电子企业店
静 DFNWB1006 峰值脉冲电流:9A 双向ESD ESDBM3V3A1 3.3V截止
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0.15
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0.15
佳旭芯捷电子
静 DFNWB1006 峰值脉冲电流:9A 双向ESD ESDBM3V3A1 3.3V截止
原价
0.15
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0.15
佳旭芯捷电子
静 CESD12VD5 SOD 峰值脉冲电流:9A@8 523 20us 12V截止 单向ESD
原价
0.14
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0
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0.14
佳旭芯捷电子
静 CESD12VD5 SOD 峰值脉冲电流:9A@8 523 20us 12V截止 单向ESD
原价
0.14
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0
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0.14
佳旭芯捷电子
静 CESD12VD5 SOD 峰值脉冲电流:9A@8 523 20us 12V截止 单向ESD
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0.14
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0.14
佳旭芯捷电子
5050 乾坤一体成型大电流电感 150MS 13X13X6MM 15UH PCMB136T
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深圳市汉源达科技
723 20us SOD 峰值浪涌电流:9A@8 单向ESD CESD3V3D7 3.3V截止
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佳旭芯捷电子
723 20us SOD 峰值浪涌电流:9A@8 单向ESD CESD3V3D7 3.3V截止
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