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1个P沟道 场效应管 电流 耐压 IPD11DP10NMATMA1 100V
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9.83
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文扬三
200V 场效应管 耐压 JCS650C 1个N沟道
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8.76
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22A NTMFS6H864NLT1G 场效应管 80V MOSFET 电流 耐压 1个N沟道
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3.34
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芯利来
22A NTMFS6H864NLT1G 场效应管 80V MOSFET 电流 耐压 1个N沟道
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22A NTMFS6H864NLT1G 场效应管 80V MOSFET 电流 耐压 1个N沟道
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22A NTMFS6H864NLT1G 场效应管 80V MOSFET 电流 耐压 1个N沟道
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梦韩潮
SQ4483BEEY T1_GE3 30V 场效应管 电流 耐压 1个P沟道
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文扬三
1个N沟道 场效应管 电流 耐压 NVMFS6H800NLWFT1G 80V
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24.46
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文扬三
22A H7P0601DSTL 电流 1个P沟道 MOSFET 60V 耐压 场效应管
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芯利来
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芯利来
22A IPD650P06NMATMA1 场效应管 60V MOSFET 电流 耐压 1个P沟道
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22A H7P0601DSTL 电流 1个P沟道 MOSFET 60V 耐压 场效应管
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IPD11DP10NMATMA1 场效应管 100V MOSFET 电流 耐压 1个P沟道
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IPD11DP10NMATMA1 场效应管 100V MOSFET 电流 耐压 1个P沟道
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1个N沟道 200V 耐压 场效应管 MOSFET JCS650C
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1个N沟道 200V 耐压 场效应管 MOSFET JCS650C
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芯利来
NVMFS6H800NLWFT1G 场效应管 80V MOSFET 电流 耐压 1个N沟道
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MOSFET 耐压 30V 场效应管 1个P沟道 电流 SQ4483BEEY T1_GE3
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IRFI540NPBF&40V 100V 场效应管 耐压 1个N沟道
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文扬三
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